一、半导体照明是目前最具发展前景的朝阳产业之一
半导体照明优势突出
照明行业已经经历了三代产品，他们分别是第一代电光源：白炽灯(卤钨灯)、第二代电光源：荧光灯(日光灯、节能灯)和第三代电光源：高强度气体放电灯(HID)，目前正在向第四代电光源----半导体照明发展。半导体照明的实现方式就是半导体发光二极管(LightEmittingDiode，缩写成LED)，是由P型半导体和N型半导体组成的芯片，它们之间形成的过渡层叫P—N结，当P—N结加正向电压时有电流注入，电子和空穴复合而发光。LED芯片的体积很小，通常只有几十到几百微米见方，属于固态光源，选择适当匹配的材料和制造工艺，电能大部分可转变成光能，理论上发光效率可达400lm/w，目前led实验室最大发光效率为157lm/w。led是一种新型固态冷光源，它具有高效、节能、环保、使用寿命长、易维护体积小、响应快、可靠性高等特点。在同样亮度下，耗电仅为普通白炽灯的1/10，荧光灯的1/3，而寿命却可以延长100倍，半导体照明是21世纪最具有发展的高技术领域之一，未来半导体灯将逐步替代白炽灯和荧光灯。通过对比前三代产品的特点和优劣势就可以看出半导体照明强大的生命力。
各种应用不断推陈出新
LED早已从最早的指示灯发展到照明领域，照明通常划分为通用照明和特殊照明两大领域。随着led发光效率和光强的不断提升，LED已经向特殊照明的纵深发展，并逐步进入通用照明领域。
LED的应用范围主要由led芯片发光强度(mcd，毫坎德拉)和发光效率(lm/w，流明/瓦)决定。发光强度越大、发光效率约高，则运用越发广泛。
可将led芯片按发光强度分为普通亮度LED、高亮度LED和超高亮度LED，发光强度<10mcd为普通亮度，10mcd～100mcd间的为高亮度，达到或超过100mcd的称超高亮度。普通亮度主要用于指示灯;高亮度用于特殊照明;而超高亮度则可以进一步用于通用照明。
从发光效率看，LED有着前三代照明产品无法比拟的优势，LED理论上的发光效率可以达到400lm/w，目前量产的水平是70-90lm/w，实验室的水平是120lm/w左右。而前三代产品的发光效率分别是从8-80lm/w不等。发光效率越高也就意味着达到同样照明效果的功率降低，其优越性也就愈发体现。目前LED已经从早期的指示灯发展到交通信号灯、汽车车灯、背景光源、景观照明、特种工作照明、军事及其它应用(玩具、礼品、轻工产品等)，一般照明已经开始起步。
各国纷纷加紧推进半导体照明产业发展
日本于1998年率先实施“21世纪照明”计划，并在2006年完成用白光发光二极管照明替代50%的传统照明。目前日本正计划到2010年实现LED的发光效率达到120lm/w。08年4月日本政府呼吁力争到2012年为止，全面实现由白炽灯向荧光灯的转换。
美国“半导体照明国家研究项目”由美国能源部制定，计划用10年时间，投资5亿美元开发半导体照明，目的是为了使美国在未来照明光源市场竞争中，领先于日本、欧洲及韩国等竞争者。计划的时间节点是，2002年20lm/w，2007年75lm/w，2012年150lm/w。预计到2010年，55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯取代;到2025年，固态照明光源的使用将使照明用电减少一半，每年节电额达350亿美元。
今年欧盟春季首脑会议上就达成协议，决定欧盟各国将逐步用节能灯取代白炽灯;欧盟各国也拟通过立法从2009年开始禁止生产白炽灯泡。欧盟成员国能源部长要求欧盟委员会在08年底前制订计划，从2010年起禁止在欧盟销售包括白炽灯在内的高耗能家用照明设备。
阿根廷今年12日签署法案，决定从2011年起彻底禁止普通灯泡的使用。新西兰能源部07年表示，将从2009年开始，禁止使用白热灯泡。此外韩国、中国也启动了国家半导体照明工程。
二、行业竞争格局分析：欧美日掌控高端产品
LED产业分为上、中、下游，上游是外延片生长、中游是芯片生产、下游是指封装业。其中上游外延片生产的技术含量最高，投资也大，其次是中游芯片，下游封装行业低端进入容易，但事实上，目前封装对于高亮度芯片的散热、发光提出了更高的要求，技术上的要求和重要性也越来越高。行业呈现出上中游企业数量相对较少，而下游企业众多的金字塔形态。
从全球看LED的主导厂商是日本的日亚化学(Nichia)和丰田合成(ToyodaGosei)、美国的Cree以及欧洲的PhilipsLumileds和欧司朗(Osram)五
